Процесс генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар в диэлектрике такой же, как в полупроводниках? - физиков.нет
Винтажный Клуб для гитаристов
0 голосов
/

Я пытался понять процесс генерации и рекомбинации электронных дырок в материалах. Однако большинство источников объясняют это явление, используя полупроводники на диаграммах энергетических зон.

Интересно, одинаков ли процесс рекомбинации электронно-дырочных пар для полупроводников и изоляторов?

1 Ответ

1 голос
/

Типичным изолятором является кристалл со структурой энергетической зоны электрона, подобной полупроводнику, то есть он имеет валентную зону и зону проводимости, разделенные запрещенной зоной $E_G$. Основное отличие от полупроводника заключается в гораздо большей ширине запрещенной зоны (обычно $E_G\gt 3eV$), так что при комнатной температуре так мало электронов, термически возбуждаемых в зону проводимости из валентной зоны (где остаются дырки), практически отсутствуют нет проводимости. Таким образом они называются изоляторами. Подобные процессы генерации и рекомбинации электронно-дырочных пар происходят в изоляторах.

Добро пожаловать на сайт физиков.нет, где вы можете задавать вопросы и получать ответы от других членов сообщества.
...